Samsung получила $6,4 млрд для создания передовой полупроводниковой экосистемы в Техасе

Администрация Байдена объявила о предварительном соглашении о предоставлении Samsung гранта на сумму до $6,4 млрд в рамках финансирования по программе CHIPS Act. Эти средства дополнят $44 млрд частных инвестиций, которые компания обещала вложить в штат для создания передовой полупроводниковой экосистемы.

Гранты будут направлены на завершение строительства высокотехнологичного кампуса в Тейлоре, сфокусированного на исследованиях, разработке передовых логических решений, производстве и, что наиболее важно, упаковке чипов. Упаковка обеспечивает питание, входы и выходы для чипов. Это узкоспециализированный процесс, который ранее выполнялся за рубежом, что вынуждало местные компании отправлять готовые чипы на фабрики за рубежом, а потом доставлять обратно. Собственный упаковочный завод Samsung устранит эту проблему и укрепит цепочку поставок.

Средства также пойдут на расширение действующего предприятия Samsung в Остине, расположенного в 40 минутах езды от Тейлора. Администрация рассчитывает, что объединение двух объектов превратит «существующее присутствие Samsung в Техасе в комплексную экосистему» для разработки и производства передовых чипов в США, создав 21 500 рабочих мест для жителей штата. Кроме того, в рамках проекта $40 млн будет выделено на обучение специалистов.

Закон о чипах и науке позволил правительству США финансировать и кредитовать технологические компании для стимулирования внутренних расходов. Ранее GlobalFoundries получила грант на $1,5 млрд и кредит на $1,6 млрд для масштабного расширения в Мальте, штат Нью-Йорк, на производство чипов для автомобильной, аэрокосмической, оборонной отраслей и ИИ.

Недавно Intel получила грант в размере до $8,5 млрд для проектов в США, включая строительство заводов в Аризоне